RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2690
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link