RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,027.0
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,837.1
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,027.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
794
2690
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link