RAM-Vergleich Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Gesamtnote

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 72

Rund um 57% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.3 11.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.0 7.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1990 1817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns