RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
72
Autour de 57% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
72
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
1817
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link