RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
56
Autour de 54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
56
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1964
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link