RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
56
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1964
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link