RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
68
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,944.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,973.0
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,944.9
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
673
2234
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link