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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
68
En -127% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
2234
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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