RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
78
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
1,944.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,973.0
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,944.9
6.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
673
1584
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link