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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
68
78
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
78
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
1584
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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