RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
69
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1980
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link