RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2703
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link