RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2703
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link