RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
16.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3857
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link