RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3857
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link