RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
72
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1951
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link