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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
20.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.9
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
18.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
4207
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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