RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
62
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3228
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link