RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
48
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2196
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link