RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
18.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
3847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB RAM-Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link