RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link