RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
20.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3536
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link