RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
29
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
18
Velocità di lettura, GB/s
14.3
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
3536
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link