RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3536
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link