RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3536
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Catalyst 256NU8 256MB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link