RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3221
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link