RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link