RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link