RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1549
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link