RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
77
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1549
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link