RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
77
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1549
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link