RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
48
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
48
44
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1499
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link