RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
29
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
18
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3536
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link