Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 39
    Intorno -34% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.3 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.7 left arrow 14.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 10.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1749 left arrow 2227
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