RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2431
2800
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link