RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
39
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2431
2800
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link