Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global
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Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB

Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 66
    En 64% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 1,193.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62% mayor ancho de banda
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 16
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    24 left arrow 66
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.0 left arrow 3,449.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 1,193.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2925 left arrow 510
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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