RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
66
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,193.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR2
Latencia en PassMark, ns
24
66
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
3,449.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,193.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
510
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link