RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,193.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
3,449.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
1,193.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
5300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
510
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link