RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
66
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2980
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link