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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
66
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
21
读取速度,GB/s
2,775.5
18.4
写入速度,GB/s
1,557.9
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2980
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB RAM的比较
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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