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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
104
左右 -206% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
34
读取速度,GB/s
3,192.0
15.3
写入速度,GB/s
2,404.5
11.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2962
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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