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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
68
左右 -143% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
28
读取速度,GB/s
4,402.8
17.3
写入速度,GB/s
2,013.5
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3325
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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