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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
43
读取速度,GB/s
10.4
14.1
写入速度,GB/s
7.8
11.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2260
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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