RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,193.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR2
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
3,449.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
1,193.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
5300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
510
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB Сравнения RAM
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link