RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link