RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link