RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
64
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2205
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link