RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
64
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
64
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2205
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link