RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1499
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link