RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3077
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link