RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3077
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link